ترانزیستورهای گرافنی سه پایانه ای و برهمکنش اسپین مدار رشبا
thesis
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کاشان - دانشکده فیزیک
- author علی صحت
- adviser روح اله فرقدان
- publication year 1394
abstract
وجه اصلی تمایز کار ما این است که اتصالات نانو ترانزیستورهای اثر میدانی، از نوع اتم های کربن می باشند، که در زیر به تفصیل شرح می دهیم. 1- ترانزیستورهای طراحی شده سه پایانه ای می باشندکه کنترل جریان خروجی توسط اتصال گیت به کانال صورت می گیرد. 2- جنس الکترودها گرافن و از نانو نوارهای مختلف می باشند همچنین جنس کانال نیز از دیسک یا حلقه گرافنی می باشد که موجب کاهش اثرات مقاومت سطح تماس می شود. 3- تمرکز روی اتصالات نانو نوارهای آرمچیری می باشد که معمولا از نانو نوارهای لبه زیگزاگ استفاده می شود. 4- با توجه به نتایج در طراحی نانو ترانزیستورهای سه پایانه ای سعی در بالا بردن قطبش اسپین الکترون می باشدکه با اتصال گیت این جریان را کنترل و تقویت می کنیم. از طرفی جریان های خروجی، جریان های وابسته به اسپین می باشند.
similar resources
بررسی اثر اسپین مدار در ساختارهای گرافنی
در این پایان نامه به بررسی اثر اسپین- مدار در ساختارهای گرافنی پرداخته شده است. ابتدا با معرفی ساختار فیزیکی گرافن، خواص و کاربردهای آن را توضیح داده سپس اشاره ای کوتاه بر پژوهش های انجام شده در این زمینه شده است. با استفاده از مدل بستگی قوی، ترازهای انرژی پای برای گرافن محاسبه و رسم شده است، در ادامه با توجه به اینکه گرافن پایه ساختاری نانولوله های کربنی می باشد ضمن مطالعه ی ساختارهای گرافنی ر...
بررسی اثر پتانسیل تحدید کوانتومی و برهمکنش اسپین-مدار بر خواص اپتیکی یک نانوسیم چند لایه
در این مقاله به بررسی تأثیر پتانسیل تحدید کوانتومی روی خواص اپتیک خطی و غیرخطی یک سیم کوانتومی چند لایه در حضور برهمکنش اسپین مدار راشبا که هم‌زمان تحت تأثیر میدان‌های الکتریکی و مغناطیسی خارجی قرار دارد، خواهیم پرداخت. بدین منظور ابتدا با حل معادله‌ی شرودینگر، ویژه‌توابع و ویژه‌مقادیر انرژی سیستم در حضور برهمکنش اسپین- مدار و میدان‌های خارجی را محاسبه کرده و با روش‌های عددی ویژه‌مقادیر و ویژه...
full textبررسی برهمکنش های الکترون-الکترون، الکترون-فونون، الکترون-فوتون و اسپین-مدار راشبا در خواص الکترونی و ترابرد نانوساختارهای گرافنی
در این تحقیق با استفاده از روش بستگی قوی و هامیلتونی بسط داده شده بر پایه اوربتال¬های اتمی و فرمول¬بندی تابع گرین به بررسی برهمکنش¬های الکترون-الکترون، الکترون-فونون، الکترون-فوتون و اسپین-مدار راشبا بر روی خواص الکترونی، مغناطیسی و ترابرد در نانو ساختارهای کربنی می¬پردازیم. وجود لبه¬های زیگزاگ در نقاط کوانتومی کربنی موجب جایگزیدگی اسپین بر روی لبه¬ها و مغناطش خالص در نانوساختار می¬شود. برای بر...
ترابرد کوانتومی و فیلترشدگی اسپین در حلقه های مزوسکوپی سه پایانه ای
در سال¬های اخیر برهم¬کنش اسپین ـ مدار در ساختارهای نیم رسانا به دلیل کاربرد بالقوه ای که در ادوات اسپینترونیک (الکترونیک مبتنی بر اسپین الکترون) دارد، توجه زیادی را به خود جلب کرده است. در نیم رساناهای متداول دو نوع برهم¬کنش اسپین ـ مدار وجود دارد. یکی برهم¬کنش اسپین ـ مدار درسلهاوس که به وسیله بی¬تقارنی وارون حجمی (نظیر ساختارهای روی ـ سولفید) و دیگری برهم¬کنش اسپین ـ مدار ناشی از بی¬تقارنی وا...
15 صفحه اولبررسی رسانش الکترونی یک نانوسیم سه پایانه ای
در این مقاله رسانش الکترونی یک زنجیره ی ساده و یک چند پار پلی استیلنی که هر یک به سه هادی ساده متصل می شود، بررسی می شود. محاسبات براساس رهیافت تنگابست و به روش تابع گرین در تقریب نزدیک ترین همسایه انجام شده است. دو نوع رسانش یکی آنچه بین هادی های چپ و راست و دیگری آنچه بین هادی های چپ و بالا وجود دارد، به صورت تابعی از انرژی محاسبه شده و رفتار آن ها نسبت به مکان اتصال هادی بالا مورد مطالعه قرا...
full textتقابل جفت شدگی اسپین-مدار و برهمکنش الکترون-الکترون در سیستم های الکترونی
جفت شدگی اسپین-مدار به علت استفاده های گوناگون در پدیده های نوین فیزیکی بسیار مورد توجه قرار گرفته است. یکی از مهم ترین این پدیده ها اسپینترونیک است، که شامل مطالعه کنترل فعال و دستکاری درجه آزادی اسپین در سیستم های حالت جامد است. به عبارت دیگر، اسپینترونیک اشاره به الکترونیک اسپینی، پدیده ی ترابرد اسپین های قطبیده در فلزات و نیمه هادی ها دارد. جفت شدگی اسپین-مدار برای تولید جریان اسپین قطبیده ...
15 صفحه اولMy Resources
document type: thesis
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کاشان - دانشکده فیزیک
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023